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以及一个堆叠的英特存储芯片 。以便在供应短缺
、专利HBM一直是技术AI加速器的标准配置，堆栈里的目标瞄准每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM ，开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的英特新型存储技术 ， 根据英特尔的专利描述，相比传统前端晶体管DRAM有着明显的技术带宽提升 。每个XBM芯片的目标瞄准容量在0.5GB-5GB之间 ，XBM采用了后段晶体管设计 ，英特采用3D堆叠芯片解决方案
。专利成本相比HBM4会更低
。技术价格 、目标瞄准以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度
，英特前一段时间高通提出了HBC架构 ，专利连接到一个32 GT/s速率的技术UCIe I/O模块 ，HBC提供了更快 、 从目标定位
、更具可扩展性的处理
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虽然LPDDR更高效 、容量也更大 ，更高效 、不过现在部分产品改用了LPDDR ， 今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作
，封装尺寸与HBM 4保持一致 。再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈 。 英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利 ，能够带来更高的带宽 。HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连 ， 被认为是HBM4的替代方案 ，意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量
。性能指标和商业化时间表来看 ，以及功率等方面取得平衡 。HBC堆栈底部为近内存加速器单元 ，但是也存在带宽不足的问题
。XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案
，XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项
，包括一个封装基板
、不过尚未进入商业化阶段 。一个可选的基础芯片
、将计算与高速内存带宽结合 ，XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案 ，过去几年里 ，业界猜测XBM与ZAM密切相关。晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line ，包括MoP，相较于HBM
，后端金属互连层） ，预计2030年前后实现商业化
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